Transistores archivos | Digizone https://digizone.com.ve/?product_cat=transistores Componentes electronicos Fri, 09 May 2025 03:53:13 +0000 es hourly 1 https://digizone.com.ve/wp-content/uploads/2021/03/WhatsApp_Image_2020-05-21_at_9-removebg-preview-64x64.png Transistores archivos | Digizone https://digizone.com.ve/?product_cat=transistores 32 32 Transistor MOSFET CANAL N 2SK3568 https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-canal-n-2sk3568/ Tue, 26 Apr 2022 14:21:57 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=9577
  • Categoría de producto: MOSFET
  • Estilo de montaje: Agujero pasante
  • Empaquetado / Estuche: TO-220FP-3
  • Polaridad de transistor: N-Channel
  • Número de canales: 1 Canal
  • Vds (Tensión separación drenador-fuente): 500 V
  • Id: corriente de drenaje continuo: 12 A
  • Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 520 mOhms

    • DATASHEET

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    ]]>         Transistores Darlington TIP142 NPN https://digizone.com.ve/producto/transistores-darlington-tip142-npn/ Tue, 26 Apr 2022 12:44:32 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=9563
  • Categoría de producto: Transistores Darlington
  • Polaridad de transistor: NPN
  • Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 100 V
  • Voltaje emisor-base VEBO: 5 V
  • Voltaje colector-base VCBO: 100 V
  • Corriente del colector DC máxima: 15 A
  • Corriente de corte del colector máxima: 1000 uA
  • Estilo de montaje: Through Hole
  • Empaquetado / Estuche: TO-220-3
  • Temperatura operativa máxima: + 150 C
  • Colector CC/Ganancia base hfe Min: 500

    • DATASHEET

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    ]]>     TIP142 es un transistor darlington NPN fabricado en paquete TO-218 o SOT-93. Sin embargo, el transistor también se fabrica en otros paquetes diferentes que son TO-3P y TO-247. Como se mencionó anteriormente, es un transistor darlington, lo que significa que contiene dos transistores en un solo paquete que están conectados de una manera especial para aumentar la ganancia del transistor muchas veces.

    El TIP142 es el transistor de la serie TIP14x, otros transistores NPN de esta serie son TIP140 y TIP141. Hay una pequeña diferencia de voltaje y corriente entre estos tres, como el voltaje de mantenimiento del colector-emisor, la corriente de corte del colector, el voltaje del colector-emisor, etc., pero si está manejando una carga por debajo de 60 V, entonces puede usar cualquiera de ellos. Pero si está manejando una carga de 80 V, puede usar TIP141 y TIP142 y si la carga es de 100 V, solo puede usar TIP142 de los tres. Además, los transistores PNP de esta serie son TIP145, TIP146 y TIP147, estos son los tipos complementarios PNP de TIP140, TIP141 y TIP142.

    El TIP142 y todos los transistores de esta serie, ya sean NPN o PNP, están diseñados para usarse en aplicaciones de uso general, como amplificación y conmutación. Cuando se usa como interruptor, la carga máxima que este transistor puede manejar es de hasta 10 A y el voltaje de carga máximo puede ser de hasta 100 V. La ganancia máxima de corriente CC es de hasta 1000.

    Dónde podemos usarlo y cómo usarlo:
    Como se mencionó, este transistor se puede utilizar en una amplia variedad de aplicaciones de conmutación y amplificación. Se puede utilizar para construir un amplificador de audio de alta potencia o en las etapas de conducción del amplificador de audio. También se puede utilizar como interruptor y es capaz de impulsar una carga de hasta 10A. Con una capacidad de conducción de carga de 10 A, puede impulsar una amplia variedad de cargas, como motores, relés, transistores de alta potencia, etc.

    Complementario PNP:
    PNP complementario de TIP142 es TIP147

    Reemplazo y equivalente:
    BDV65B, BDV65C

    Aplicaciones:

    • Amplificadores de audio
    • Controladores de motores
    • Carga de accionamiento de hasta 10A
    • Y muchas otras aplicaciones de propósito general

    Directrices de funcionamiento seguro/Clasificaciones máximas absolutas:
    Antes de usar este transistor, es importante echar un vistazo a sus clasificaciones máximas absolutas y mantenerse un 20% por debajo de estas clasificaciones para un funcionamiento seguro y un rendimiento a largo plazo. La corriente de colector máxima del transistor es de 10 A, por lo tanto, no maneje una carga de más de 8 A. El voltaje de carga máximo es de 100 V, por lo tanto, no maneje una carga de más de 80 V. Utilice un disipador de calor adecuado con el transistor y almacene u opere siempre este transistor a una temperatura superior a -65 °C e inferior a +150 °C.

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    ]]>         Transistor MOSFET CANAL N FDB2532 SMD TO-263 https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-canal-n-fdb2532-smd-to-263/ Fri, 22 Apr 2022 12:35:06 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=9536
  • Categoría de producto: MOSFET
  • Estilo de montaje: SMD/SMT
  • Polaridad del transistor: canal N
  • Número de canales: 1 canal
  • Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente: 150 V
  • Id - Corriente de drenaje continuo: 79 A
  • Rds On - Resistencia drenaje-fuente: 14 mOhms
  • Vgs - Voltaje de fuente de puerta: - 20 V, + 20 V
  • Vgs th - Voltaje de umbral de puerta-fuente: 2 V
  • Qg - Carga de puerta: 107 nC
  • Temperatura mínima de funcionamiento: - 55 C
  • Temperatura máxima de funcionamiento: + 175 C
  • Pd - Disipación de potencia: 310 W
  • Tiempo de caída: 17 ns
  • Tiempo de subida: 30 ns
  • Tiempo de retardo de apagado típico: 39 ns
  • Tiempo de retardo de encendido típico: 16 ns

    • DATASHEET

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    ]]>     La entrada Transistor MOSFET CANAL N FDB2532 SMD TO-263 se publicó primero en Digizone.

    ]]>         Transistor MOSFET IRF540N 100V 23A SMD TO-263 https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-irf540n-100v-23a-smd-to-263/ Tue, 15 Mar 2022 21:03:26 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=9237
  • Tipo de paquete: TO-263
  • Tipo de transistor: canal N
  • Voltaje máximo aplicado desde el drenaje a la fuente: 100 V
  • El voltaje máximo de la puerta a la fuente debe ser: ± 20 V
  • La corriente de drenaje continua máxima es: 9.2A
  • La corriente de drenaje pulsada máxima es: 37A
  • La disipación de energía máxima es: 60W
  • Voltaje mínimo requerido para conducir: 2V a 4V
  • La temperatura máxima de almacenamiento y funcionamiento debe ser: -55 a +175 Celsius

    • DATASHEET

    La entrada Transistor MOSFET IRF540N 100V 23A SMD TO-263 se publicó primero en Digizone.

    ]]>     El IRF540 es un MOSFET de potencia diseñado para impulsar cargas de alta corriente. Puede manejar una carga máxima de hasta 23 A y el voltaje de carga máximo es de hasta 100 V CC. Utiliza tecnología de trinchera que lo hace capaz de alcanzar un alto nivel de capacidad de conducción. Se puede utilizar tanto para conmutación como para amplificación. Este transistor posee algunas de las buenas características que lo hacen ideal para usar como interruptor. Es capaz de realizar conmutación de alta velocidad, por lo que se puede utilizar en una amplia variedad de aplicaciones en las que desee conmutar la carga con alta velocidad, como UPS.

    Aparte de eso, también se puede usar como amplificador, la disipación de potencia máxima de 100 W lo hace ideal para construir un amplificador de audio de alta potencia y también se puede usar en etapas de amplificador de audio de alta potencia.

    El IRF540 se puede utilizar para ambos propósitos, es decir, conmutación y amplificación. Como interruptor, se puede usar en muchas aplicaciones, como fuentes de alimentación, aplicaciones de administración de baterías, convertidores de CC a CC, etc.También se puede usar en la salida de microcontroladores y plataformas electrónicas como arduino, raspberry pi, etc. para impulsar cargas de alto amperaje. . Por otro lado, se puede utilizar para construir amplificadores de audio de alta potencia.

    El cableado o el uso de los MOSFET son casi los mismos que los de los BJT, mientras que la principal diferencia entre los dos es que los MOSFET son los dispositivos controlados por voltaje y los BJT son dispositivos controlados por corriente, por lo que el transistor MOSFET no requiere corriente en su puerta con la que puede controlarlos. Voltaje. El transistor IRF540 de voltaje mínimo requerido para la saturación es de 2V a 4V.

    Aplicaciones:

    • Aplicaciones de cambio rápido
    • Fuente de poder ininterrumpida
    • Cargadores de bateria
    • Sistemas de gestión de baterías
    • Cargadores de baterías solares
    • Fuentes de alimentación solar ininterrumpida
    • Aplicaciones de controladores de motor
    • Aplicaciones de telecomunicaciones
    • Aplicaciones relacionadas con la computadora

    Reemplazo y equivalente del IRF540:
    2SK1928, BUZ21, 2SK2314, 2SK2466, 2SK2391, 2SK2466, BUK445-100A, BUK455-100A, BUK551-100A, BUK555-100A, IRFI540G, IRFS540, MTP27N10E, RFP22N10, 2SK2789

    La entrada Transistor MOSFET IRF540N 100V 23A SMD TO-263 se publicó primero en Digizone.

    ]]>         Transistor MOSFET IRF1310NPBF 100V 42A https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-irf1310npbf-100v-42a/ Mon, 28 Feb 2022 02:54:17 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=9113
  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 100 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 50 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±50 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 42 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 140 A
  • Corriente de avalancha IAR: 22 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 160 W
  • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 0.036 Ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

    • DATASHEET

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    ]]>     Transistor mosfet hexfet IRF1310NPBF Tipo T de un solo canal N 100V. Power MOSFET con muy baja resistencia por unidad de superficie de silicio y el rendimiento de conmutación rápida usando tecnología planar avanzada.

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    ]]>         Transistor MOSFET IRF3205PBF 55V 98A https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-irf3205pbf-55v-98a/ Mon, 28 Feb 2022 02:41:31 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=9105
  • Canal N
  • La corriente de drenaje continua (ID) es de 110 A cuando VGS es de 10 V
  • Tensión mínima de umbral de Gate 2V
  • Voltaje de ruptura de drenaje a fuente: 55V
  • Baja resistencia de encendido de 8,0 mΩ
  • El voltaje de la fuente de la puerta es (VGS) es de ± 20 V
  • El tiempo de subida es 101ns

    • DATASHEET

    La entrada Transistor MOSFET IRF3205PBF 55V 98A se publicó primero en Digizone.

    ]]>     El IRF3205 es un MOSFET de canal N de alta corriente que puede cambiar corrientes de hasta 110A y 55V. La especialidad del MOSFET es que tiene una resistencia muy baja de solo 8,0 mΩ, lo que lo hace adecuado para circuitos de conmutación como inversores, control de velocidad del motor, convertidor CC-CC, etc. También es uno de los MOSFET económicos y fácilmente disponibles con un bajo en resistencia.

    Entonces, si está buscando un MOSFET para usar en su circuito de conmutación que funcione por debajo de 55 V y menos de 110 A, puede considerar usar el IRF3205. Tenga en cuenta que el IRF3205 tiene un voltaje de umbral alto y, por lo tanto, no es ideal para el control de encendido/apagado con controladores integrados. Puede probar el IRF540N para ese propósito.

    Alternativas para IRF3205
    IRF1405, IRF1407, IRF3305, IRFZ44N, IRFB3077, IRFB4110

    Aplicaciones

    • Cambio de aplicaciones
    • Convertidores elevadores
    • helicópteros
    • Inversores solares
    • Control de velocidad

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    ]]>         Transistor BJT 600mA 40V PNP 2N4403 https://digizone.com.ve/producto/transistor-bjt-600ma-40v-pnp-2n4403/ Fri, 27 Aug 2021 19:28:59 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=7841
  • Categoría de producto: Transistores bipolares - BJT
  • Estilo de montaje: Through Hole
  • Empaquetado / Estuche: TO-92-3
  • Polaridad de transistor: PNP
  • Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 40 V
  • Voltaje colector-base VCBO: 40 V
  • Voltaje emisor-base VEBO: 5 V
  • Voltaje de saturación colector-emisor: 0.75 V
  • Corriente del colector DC máxima: 0.6 A
  • Pd (disipación de potencia): 625 mW
  • Producto fT para ganancia de ancho de banda: 200 MHz
  • Temperatura operativa mínima: - 55 C
  • Temperatura operativa máxima: + 150 C
  • Ganancia de corriente DC hFE Máx.: 300
  • Corriente continua del colector: 0.6 A

    • 2N4403_D-2309252

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    ]]>     2N4403 se utiliza básicamente cuando desea un dispositivo de conmutación simple para cargas de baja potencia. El componente es económico y fácil de usar, por lo que es más adecuado al elegir un dispositivo de conmutación aleatorio. 2N4403 también se puede utilizar como amplificador de potencia básico y su aplicación incluye amplificar señales de baja potencia.

    Transistores similares
    NTE159, 2SA1015GR, 2N5401, 2N3905

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    ]]>         Transistor MOSFET FQP50N06 60V 50A https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-60v-50a-fqp52n06/ Mon, 05 Jul 2021 23:27:14 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=6994
  • Categoría de producto: MOSFET
  • Estilo de montaje: Through Hole
  • Empaquetado / Estuche: TO-220-3
  • Polaridad de transistor: N-Channel
  • Vds (Tensión separación drenador-fuente): 60 V
  • Id: corriente de drenaje continuo: 50 A
  • Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 22 mOhms
  • Vgs (tensión de compuerta-fuente): - 25 V, + 25 V
  • Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 4 V
  • Qg (carga de compuertas): 31 nC
  • Temperatura operativa mínima: - 55 C
  • Temperatura operativa máxima: + 175 C
  • Pd (disipación de potencia): 120 W
  • Transconductancia delantera: mín.: 22 S
  • Tiempo de caída: 65 ns
  • Tiempo de establecimiento: 105 ns
  • Tiempo típico de retraso de apagado: 60 ns
  • Tiempo de retardo de conexión típico: 15 ns

    • DATASHEET

    La entrada Transistor MOSFET FQP50N06 60V 50A se publicó primero en Digizone.

    ]]>     El FQP52N06es un MOSFET de potencia fabricado en un paquete de transistor TO-220. Es un transistor reforzado y se puede utilizar para usos generales en una variedad de aplicaciones. Además, el transistor posee una variedad de características que lo hacen confiable para muchas aplicaciones comerciales, algunas características son capacidad de conmutación rápida, supervivencia a alta temperatura de hasta 175 grados Celsius, muy baja resistencia al drenaje a la fuente en estado ON de solo 22 mΩ, protección ESD de un máximo de 2 kilo voltios, etc.

    Además, la corriente de drenaje continua máxima del transistor es de 50 A, lo que significa que puede conducir una carga de hasta 50 A y el voltaje máximo aplicado desde el drenaje a la fuente es de 60 V, lo que significa que puede conducir una carga de hasta 60 V con este transistor. La disipación de potencia máxima del transistor es de 120 vatios y el límite máximo de temperatura de soldadura del dispositivo es de 300 grados centígrados durante 10 segundos.

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    ]]>         Transistor MOSFET FQPF20N60 600V 20A https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-600v-20a-fqpf20n60/ Mon, 05 Jul 2021 23:25:45 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=6989
  • Categoría de producto: MOSFET
  • Estilo de montaje: Through Hole
  • Empaquetado / Estuche: TO-220FP-3
  • Polaridad de transistor: N-Channel
  • Vds (Tensión separación drenador-fuente): 600 V
  • Id: corriente de drenaje continuo: 20.7 A
  • Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 190 mOhms
  • Vgs (tensión de compuerta-fuente): - 20 V, + 20 V
  • Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 2.1 V
  • Qg (carga de compuertas): 87 nC
  • Temperatura operativa mínima: - 55 C
  • Temperatura operativa máxima: + 150 C
  • Pd (disipación de potencia): 34.5 W
  • Tiempo de caída: 4.5 ns
  • Tiempo de establecimiento: 5 ns
  • Tiempo típico de retraso de apagado: 67 ns
  • Tiempo de retardo de conexión típico: 10 ns

    • DATASHEET

    La entrada Transistor MOSFET FQPF20N60 600V 20A se publicó primero en Digizone.

    ]]>     El Transistor 20N60 es un MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N que utiliza la tecnología avanzada de UTC para proporcionar a los clientes tecnología de banda plana y DMOS. Esta tecnología está especializada en permitir una resistencia mínima en estado encendido y un rendimiento de conmutación superior. También puede soportar pulsos de alta energía en el modo de avalancha y conmutación. El UTC 20N60 se aplica universalmente en control de motores, UPS, interruptores de CC y fuentes de alimentación de modo de conmutación y de modo resonante.

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    ]]>         Transistores BJT 2n3055 NPN https://digizone.com.ve/producto/transistores-bjt-2n3005-npn/ Sat, 03 Jul 2021 20:16:30 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=6932
  • Categoría de producto: Transistores bipolares - BJT
  • Estilo de montaje: Through Hole
  • Empaquetado / Estuche: TO-3
  • Polaridad de transistor: NPN
  • Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 60 V
  • Voltaje colector-base VCBO: 100 V
  • Voltaje emisor-base VEBO: 7 V
  • Voltaje de saturación colector-emisor: 1 V
  • Corriente del colector DC máxima: 15 A
  • Pd (disipación de potencia): 115 W
  • Producto fT para ganancia de ancho de banda: 3 MHz
  • Temperatura operativa mínima: - 65 C
  • Temperatura operativa máxima: + 200 C
  • Ganancia de corriente DC hFE Máx.: 70
  • Corriente continua del colector: 15 A
  • Colector CC/Ganancia base hfe Min: 20

    • DATASHEET

    La entrada Transistores BJT 2n3055 NPN se publicó primero en Digizone.

    ]]>     El 2N3055 es un transistor plano de base epitaxial NPN que normalmente viene encapsulado en un paquete de metal Jedec TO-3. El rango de aplicación básico incluye conmutación de potencia, amplificación de alta fidelidad, regulación de derivación y formación de las etapas de salida de varios circuitos de potencia.

    El dispositivo se ha vuelto particularmente popular debido a algunas de sus características sobresalientes, que se resumen a continuación:

    • El diseño y el embalaje resistentes lo hacen menos vulnerable a las tensiones mecánicas durante la adquisición y el transporte.
    • La alta capacidad de manejo de voltaje de colector a emisor lo hace altamente versátil para la mayoría de las aplicaciones de amplificación de potencia.
    • Bajo voltaje de base a emisor, lo hace fácilmente conmutable incluso con potenciales de salida nominales disponibles de circuitos integrados lineales sin incorporar etapas de búfer.
    • La robusta capacidad de suministro de corriente de salida lo hace ideal para aplicaciones en amplificadores de potencia e inversores de potencia.
    • La robusta encapsulación de la carcasa del TO-3 lo hace fácilmente montable sobre disipadores de calor con un cómodo contacto cara a cara, lo que permite una perfecta disipación del calor del dispositivo y garantiza una respuesta óptima.
    • La ganancia de hFE razonable y constante lo hace universalmente adecuado y aplicable para la mayoría de los propósitos.
    • Rango de manejo de alta frecuencia, nuevamente atribuyendo al dispositivo una característica de utilidad de rango amplio.
    • La versatilidad anterior del dispositivo a su vez lo hace fácilmente reemplazable con otros transistores de potencia que tienen características variadas, aliviando a los usuarios del dolor de cabeza de buscar coincidencias idénticas compatibles para sus aplicaciones específicas individuales.

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