2n3055 archivos | Digizone https://digizone.com.ve/?product_tag=2n3055 Componentes electronicos Tue, 28 Jan 2025 19:41:33 +0000 es hourly 1 https://digizone.com.ve/wp-content/uploads/2021/03/WhatsApp_Image_2020-05-21_at_9-removebg-preview-64x64.png 2n3055 archivos | Digizone https://digizone.com.ve/?product_tag=2n3055 32 32 Transistores BJT 2n3055 NPN https://digizone.com.ve/producto/transistores-bjt-2n3005-npn/ Sat, 03 Jul 2021 20:16:30 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=6932
  • Categoría de producto: Transistores bipolares - BJT
  • Estilo de montaje: Through Hole
  • Empaquetado / Estuche: TO-3
  • Polaridad de transistor: NPN
  • Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 60 V
  • Voltaje colector-base VCBO: 100 V
  • Voltaje emisor-base VEBO: 7 V
  • Voltaje de saturación colector-emisor: 1 V
  • Corriente del colector DC máxima: 15 A
  • Pd (disipación de potencia): 115 W
  • Producto fT para ganancia de ancho de banda: 3 MHz
  • Temperatura operativa mínima: - 65 C
  • Temperatura operativa máxima: + 200 C
  • Ganancia de corriente DC hFE Máx.: 70
  • Corriente continua del colector: 15 A
  • Colector CC/Ganancia base hfe Min: 20

    • DATASHEET

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    ]]>     El 2N3055 es un transistor plano de base epitaxial NPN que normalmente viene encapsulado en un paquete de metal Jedec TO-3. El rango de aplicación básico incluye conmutación de potencia, amplificación de alta fidelidad, regulación de derivación y formación de las etapas de salida de varios circuitos de potencia.

    El dispositivo se ha vuelto particularmente popular debido a algunas de sus características sobresalientes, que se resumen a continuación:

    • El diseño y el embalaje resistentes lo hacen menos vulnerable a las tensiones mecánicas durante la adquisición y el transporte.
    • La alta capacidad de manejo de voltaje de colector a emisor lo hace altamente versátil para la mayoría de las aplicaciones de amplificación de potencia.
    • Bajo voltaje de base a emisor, lo hace fácilmente conmutable incluso con potenciales de salida nominales disponibles de circuitos integrados lineales sin incorporar etapas de búfer.
    • La robusta capacidad de suministro de corriente de salida lo hace ideal para aplicaciones en amplificadores de potencia e inversores de potencia.
    • La robusta encapsulación de la carcasa del TO-3 lo hace fácilmente montable sobre disipadores de calor con un cómodo contacto cara a cara, lo que permite una perfecta disipación del calor del dispositivo y garantiza una respuesta óptima.
    • La ganancia de hFE razonable y constante lo hace universalmente adecuado y aplicable para la mayoría de los propósitos.
    • Rango de manejo de alta frecuencia, nuevamente atribuyendo al dispositivo una característica de utilidad de rango amplio.
    • La versatilidad anterior del dispositivo a su vez lo hace fácilmente reemplazable con otros transistores de potencia que tienen características variadas, aliviando a los usuarios del dolor de cabeza de buscar coincidencias idénticas compatibles para sus aplicaciones específicas individuales.

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