50N06 archivos | Digizone https://digizone.com.ve/?product_tag=50n06 Componentes electronicos Wed, 11 Oct 2023 12:36:19 +0000 es hourly 1 https://digizone.com.ve/wp-content/uploads/2021/03/WhatsApp_Image_2020-05-21_at_9-removebg-preview-64x64.png 50N06 archivos | Digizone https://digizone.com.ve/?product_tag=50n06 32 32 Transistor MOSFET FQP50N06 60V 50A https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-60v-50a-fqp52n06/ Mon, 05 Jul 2021 23:27:14 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=6994
  • Categoría de producto: MOSFET
  • Estilo de montaje: Through Hole
  • Empaquetado / Estuche: TO-220-3
  • Polaridad de transistor: N-Channel
  • Vds (Tensión separación drenador-fuente): 60 V
  • Id: corriente de drenaje continuo: 50 A
  • Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 22 mOhms
  • Vgs (tensión de compuerta-fuente): - 25 V, + 25 V
  • Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 4 V
  • Qg (carga de compuertas): 31 nC
  • Temperatura operativa mínima: - 55 C
  • Temperatura operativa máxima: + 175 C
  • Pd (disipación de potencia): 120 W
  • Transconductancia delantera: mín.: 22 S
  • Tiempo de caída: 65 ns
  • Tiempo de establecimiento: 105 ns
  • Tiempo típico de retraso de apagado: 60 ns
  • Tiempo de retardo de conexión típico: 15 ns

    • DATASHEET

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    ]]>     El FQP52N06es un MOSFET de potencia fabricado en un paquete de transistor TO-220. Es un transistor reforzado y se puede utilizar para usos generales en una variedad de aplicaciones. Además, el transistor posee una variedad de características que lo hacen confiable para muchas aplicaciones comerciales, algunas características son capacidad de conmutación rápida, supervivencia a alta temperatura de hasta 175 grados Celsius, muy baja resistencia al drenaje a la fuente en estado ON de solo 22 mΩ, protección ESD de un máximo de 2 kilo voltios, etc.

    Además, la corriente de drenaje continua máxima del transistor es de 50 A, lo que significa que puede conducir una carga de hasta 50 A y el voltaje máximo aplicado desde el drenaje a la fuente es de 60 V, lo que significa que puede conducir una carga de hasta 60 V con este transistor. La disipación de potencia máxima del transistor es de 120 vatios y el límite máximo de temperatura de soldadura del dispositivo es de 300 grados centígrados durante 10 segundos.

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