MOSFET archivos | Digizone https://digizone.com.ve/?product_tag=mosfet Componentes electronicos Fri, 09 May 2025 03:53:13 +0000 es hourly 1 https://digizone.com.ve/wp-content/uploads/2021/03/WhatsApp_Image_2020-05-21_at_9-removebg-preview-64x64.png MOSFET archivos | Digizone https://digizone.com.ve/?product_tag=mosfet 32 32 Módulo de Retardo Temporizador MOSFET HW-516 https://digizone.com.ve/producto/modulo-de-retardo-temporizador-mosfet-hw-516/ Thu, 02 Jan 2025 18:58:06 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=13726
  • Voltaje de Operación: 5V a 36V DC
  • Corriente de Salida: Hasta 15A
  • Rango de Temporización: 0.1 segundos a 10 minutos (ajustable)
  • Componentes Principales:
    • MOSFET para control de carga
    • Potenciómetro para ajuste de tiempo
    • LED indicador de estado
    • Terminales de entrada y salida para conexión de dispositivos
  • Modo de Operación:
    • Retardo en activación: Se activa después de un tiempo definido tras recibir la señal de activación.
    • Retardo en desactivación: Se desactiva después de un tiempo definido tras recibir la señal de desactivación (dependiendo de la configuración del módulo).
    • Características Adicionales:
      • función de parada de emergencia
      • protección contra conexión inversa
      • modo de suspensión.
  • Temperatura de Operación: -40°C a 85°C

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    ]]>     El módulo HW-516 es un dispositivo de control de tiempo que utiliza un circuito basado en un MOSFET para activar o desactivar dispositivos eléctricos después de un periodo de tiempo preestablecido. Es ideal para aplicaciones que requieren un retardo en la activación de cargas, como luces, ventiladores o motores, y se utiliza en proyectos de electrónica y automatización. Este módulo es fácil de usar y ajustar, lo que lo convierte en una opción popular entre los entusiastas de la electrónica.

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    ]]>         Transistor MOSFET CANAL N 2SK3568 https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-canal-n-2sk3568/ Tue, 26 Apr 2022 14:21:57 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=9577
  • Categoría de producto: MOSFET
  • Estilo de montaje: Agujero pasante
  • Empaquetado / Estuche: TO-220FP-3
  • Polaridad de transistor: N-Channel
  • Número de canales: 1 Canal
  • Vds (Tensión separación drenador-fuente): 500 V
  • Id: corriente de drenaje continuo: 12 A
  • Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 520 mOhms

    • DATASHEET

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    ]]>     La entrada Transistor MOSFET CANAL N 2SK3568 se publicó primero en Digizone.

    ]]>         Transistor MOSFET CANAL N FDB2532 SMD TO-263 https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-canal-n-fdb2532-smd-to-263/ Fri, 22 Apr 2022 12:35:06 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=9536
  • Categoría de producto: MOSFET
  • Estilo de montaje: SMD/SMT
  • Polaridad del transistor: canal N
  • Número de canales: 1 canal
  • Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente: 150 V
  • Id - Corriente de drenaje continuo: 79 A
  • Rds On - Resistencia drenaje-fuente: 14 mOhms
  • Vgs - Voltaje de fuente de puerta: - 20 V, + 20 V
  • Vgs th - Voltaje de umbral de puerta-fuente: 2 V
  • Qg - Carga de puerta: 107 nC
  • Temperatura mínima de funcionamiento: - 55 C
  • Temperatura máxima de funcionamiento: + 175 C
  • Pd - Disipación de potencia: 310 W
  • Tiempo de caída: 17 ns
  • Tiempo de subida: 30 ns
  • Tiempo de retardo de apagado típico: 39 ns
  • Tiempo de retardo de encendido típico: 16 ns

    • DATASHEET

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    ]]>     La entrada Transistor MOSFET CANAL N FDB2532 SMD TO-263 se publicó primero en Digizone.

    ]]>         Transistor MOSFET IRF540N 100V 23A SMD TO-263 https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-irf540n-100v-23a-smd-to-263/ Tue, 15 Mar 2022 21:03:26 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=9237
  • Tipo de paquete: TO-263
  • Tipo de transistor: canal N
  • Voltaje máximo aplicado desde el drenaje a la fuente: 100 V
  • El voltaje máximo de la puerta a la fuente debe ser: ± 20 V
  • La corriente de drenaje continua máxima es: 9.2A
  • La corriente de drenaje pulsada máxima es: 37A
  • La disipación de energía máxima es: 60W
  • Voltaje mínimo requerido para conducir: 2V a 4V
  • La temperatura máxima de almacenamiento y funcionamiento debe ser: -55 a +175 Celsius

    • DATASHEET

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    ]]>     El IRF540 es un MOSFET de potencia diseñado para impulsar cargas de alta corriente. Puede manejar una carga máxima de hasta 23 A y el voltaje de carga máximo es de hasta 100 V CC. Utiliza tecnología de trinchera que lo hace capaz de alcanzar un alto nivel de capacidad de conducción. Se puede utilizar tanto para conmutación como para amplificación. Este transistor posee algunas de las buenas características que lo hacen ideal para usar como interruptor. Es capaz de realizar conmutación de alta velocidad, por lo que se puede utilizar en una amplia variedad de aplicaciones en las que desee conmutar la carga con alta velocidad, como UPS.

    Aparte de eso, también se puede usar como amplificador, la disipación de potencia máxima de 100 W lo hace ideal para construir un amplificador de audio de alta potencia y también se puede usar en etapas de amplificador de audio de alta potencia.

    El IRF540 se puede utilizar para ambos propósitos, es decir, conmutación y amplificación. Como interruptor, se puede usar en muchas aplicaciones, como fuentes de alimentación, aplicaciones de administración de baterías, convertidores de CC a CC, etc.También se puede usar en la salida de microcontroladores y plataformas electrónicas como arduino, raspberry pi, etc. para impulsar cargas de alto amperaje. . Por otro lado, se puede utilizar para construir amplificadores de audio de alta potencia.

    El cableado o el uso de los MOSFET son casi los mismos que los de los BJT, mientras que la principal diferencia entre los dos es que los MOSFET son los dispositivos controlados por voltaje y los BJT son dispositivos controlados por corriente, por lo que el transistor MOSFET no requiere corriente en su puerta con la que puede controlarlos. Voltaje. El transistor IRF540 de voltaje mínimo requerido para la saturación es de 2V a 4V.

    Aplicaciones:

    • Aplicaciones de cambio rápido
    • Fuente de poder ininterrumpida
    • Cargadores de bateria
    • Sistemas de gestión de baterías
    • Cargadores de baterías solares
    • Fuentes de alimentación solar ininterrumpida
    • Aplicaciones de controladores de motor
    • Aplicaciones de telecomunicaciones
    • Aplicaciones relacionadas con la computadora

    Reemplazo y equivalente del IRF540:
    2SK1928, BUZ21, 2SK2314, 2SK2466, 2SK2391, 2SK2466, BUK445-100A, BUK455-100A, BUK551-100A, BUK555-100A, IRFI540G, IRFS540, MTP27N10E, RFP22N10, 2SK2789

    La entrada Transistor MOSFET IRF540N 100V 23A SMD TO-263 se publicó primero en Digizone.

    ]]>         Transistor MOSFET IRF1310NPBF 100V 42A https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-irf1310npbf-100v-42a/ Mon, 28 Feb 2022 02:54:17 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=9113
  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 100 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 50 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±50 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 42 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 140 A
  • Corriente de avalancha IAR: 22 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 160 W
  • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 0.036 Ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

    • DATASHEET

    La entrada Transistor MOSFET IRF1310NPBF 100V 42A se publicó primero en Digizone.

    ]]>     Transistor mosfet hexfet IRF1310NPBF Tipo T de un solo canal N 100V. Power MOSFET con muy baja resistencia por unidad de superficie de silicio y el rendimiento de conmutación rápida usando tecnología planar avanzada.

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    ]]>         Transistor MOSFET IRF3205PBF 55V 98A https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-irf3205pbf-55v-98a/ Mon, 28 Feb 2022 02:41:31 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=9105
  • Canal N
  • La corriente de drenaje continua (ID) es de 110 A cuando VGS es de 10 V
  • Tensión mínima de umbral de Gate 2V
  • Voltaje de ruptura de drenaje a fuente: 55V
  • Baja resistencia de encendido de 8,0 mΩ
  • El voltaje de la fuente de la puerta es (VGS) es de ± 20 V
  • El tiempo de subida es 101ns

    • DATASHEET

    La entrada Transistor MOSFET IRF3205PBF 55V 98A se publicó primero en Digizone.

    ]]>     El IRF3205 es un MOSFET de canal N de alta corriente que puede cambiar corrientes de hasta 110A y 55V. La especialidad del MOSFET es que tiene una resistencia muy baja de solo 8,0 mΩ, lo que lo hace adecuado para circuitos de conmutación como inversores, control de velocidad del motor, convertidor CC-CC, etc. También es uno de los MOSFET económicos y fácilmente disponibles con un bajo en resistencia.

    Entonces, si está buscando un MOSFET para usar en su circuito de conmutación que funcione por debajo de 55 V y menos de 110 A, puede considerar usar el IRF3205. Tenga en cuenta que el IRF3205 tiene un voltaje de umbral alto y, por lo tanto, no es ideal para el control de encendido/apagado con controladores integrados. Puede probar el IRF540N para ese propósito.

    Alternativas para IRF3205
    IRF1405, IRF1407, IRF3305, IRFZ44N, IRFB3077, IRFB4110

    Aplicaciones

    • Cambio de aplicaciones
    • Convertidores elevadores
    • helicópteros
    • Inversores solares
    • Control de velocidad

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    ]]>         Transistor MOSFET FQP50N06 60V 50A https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-60v-50a-fqp52n06/ Mon, 05 Jul 2021 23:27:14 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=6994
  • Categoría de producto: MOSFET
  • Estilo de montaje: Through Hole
  • Empaquetado / Estuche: TO-220-3
  • Polaridad de transistor: N-Channel
  • Vds (Tensión separación drenador-fuente): 60 V
  • Id: corriente de drenaje continuo: 50 A
  • Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 22 mOhms
  • Vgs (tensión de compuerta-fuente): - 25 V, + 25 V
  • Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 4 V
  • Qg (carga de compuertas): 31 nC
  • Temperatura operativa mínima: - 55 C
  • Temperatura operativa máxima: + 175 C
  • Pd (disipación de potencia): 120 W
  • Transconductancia delantera: mín.: 22 S
  • Tiempo de caída: 65 ns
  • Tiempo de establecimiento: 105 ns
  • Tiempo típico de retraso de apagado: 60 ns
  • Tiempo de retardo de conexión típico: 15 ns

    • DATASHEET

    La entrada Transistor MOSFET FQP50N06 60V 50A se publicó primero en Digizone.

    ]]>     El FQP52N06es un MOSFET de potencia fabricado en un paquete de transistor TO-220. Es un transistor reforzado y se puede utilizar para usos generales en una variedad de aplicaciones. Además, el transistor posee una variedad de características que lo hacen confiable para muchas aplicaciones comerciales, algunas características son capacidad de conmutación rápida, supervivencia a alta temperatura de hasta 175 grados Celsius, muy baja resistencia al drenaje a la fuente en estado ON de solo 22 mΩ, protección ESD de un máximo de 2 kilo voltios, etc.

    Además, la corriente de drenaje continua máxima del transistor es de 50 A, lo que significa que puede conducir una carga de hasta 50 A y el voltaje máximo aplicado desde el drenaje a la fuente es de 60 V, lo que significa que puede conducir una carga de hasta 60 V con este transistor. La disipación de potencia máxima del transistor es de 120 vatios y el límite máximo de temperatura de soldadura del dispositivo es de 300 grados centígrados durante 10 segundos.

    La entrada Transistor MOSFET FQP50N06 60V 50A se publicó primero en Digizone.

    ]]>         Transistor MOSFET FQPF20N60 600V 20A https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-600v-20a-fqpf20n60/ Mon, 05 Jul 2021 23:25:45 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=6989
  • Categoría de producto: MOSFET
  • Estilo de montaje: Through Hole
  • Empaquetado / Estuche: TO-220FP-3
  • Polaridad de transistor: N-Channel
  • Vds (Tensión separación drenador-fuente): 600 V
  • Id: corriente de drenaje continuo: 20.7 A
  • Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 190 mOhms
  • Vgs (tensión de compuerta-fuente): - 20 V, + 20 V
  • Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 2.1 V
  • Qg (carga de compuertas): 87 nC
  • Temperatura operativa mínima: - 55 C
  • Temperatura operativa máxima: + 150 C
  • Pd (disipación de potencia): 34.5 W
  • Tiempo de caída: 4.5 ns
  • Tiempo de establecimiento: 5 ns
  • Tiempo típico de retraso de apagado: 67 ns
  • Tiempo de retardo de conexión típico: 10 ns

    • DATASHEET

    La entrada Transistor MOSFET FQPF20N60 600V 20A se publicó primero en Digizone.

    ]]>     El Transistor 20N60 es un MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N que utiliza la tecnología avanzada de UTC para proporcionar a los clientes tecnología de banda plana y DMOS. Esta tecnología está especializada en permitir una resistencia mínima en estado encendido y un rendimiento de conmutación superior. También puede soportar pulsos de alta energía en el modo de avalancha y conmutación. El UTC 20N60 se aplica universalmente en control de motores, UPS, interruptores de CC y fuentes de alimentación de modo de conmutación y de modo resonante.

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    ]]>         Transistor MOSFET IRF840N 500V 8A https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-irf840n-500v-8a/ Fri, 02 Jul 2021 17:46:13 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=6863
  • Tipo de paquete: TO-220
  • Tipo de transistor: canal N
  • Voltaje máximo aplicado desde el drenaje a la fuente: 500 V
  • El voltaje máximo de la puerta a la fuente debe ser: ± 20 V
  • La corriente de drenaje continua máxima es: 8A
  • La corriente máxima de drenaje pulsada es: 32A
  • La disipación de energía máxima es: 125W
  • Voltaje mínimo requerido para conducir: 2V a 4V
  • La temperatura máxima de almacenamiento y funcionamiento debe ser: -55 a +150 centígradosDATASHEET

    • La entrada Transistor MOSFET IRF840N 500V 8A se publicó primero en Digizone.

    ]]>     El IRF840 es un MOSFET de canal N disponible en el paquete TO-220. Está diseñado para aplicaciones de alto voltaje de hasta 500 V con capacidades de conmutación de alta velocidad. Se puede utilizar tanto para conmutación como para amplificación. Como interruptor, puede impulsar una carga de hasta 8 A y una carga de hasta 30 A en modo de pulso. El dispositivo se puede utilizar en muchas aplicaciones de alto voltaje, como fuentes de alimentación, controladores de motor, UPS, etc. Además, el IRF840 también se puede conectar y controlar directamente con la salida de circuitos integrados.

    La disipación de potencia máxima es de 125 vatios, por lo que también se puede utilizar en circuitos de amplificación de audio.

    El IRF640 se puede utilizar en circuitos en los que desee impulsar una carga de alto voltaje de hasta 500 V con una corriente de carga de hasta 8 A. También se puede utilizar en circuitos donde la conmutación de alta velocidad es crucial. Además, puede usarlo directamente en la salida de circuitos integrados, microcontroladores y otras plataformas electrónicas como Arduino y Raspberry Pi para impulsar cargas.

    Aparte de eso, también se puede utilizar para construir amplificadores de audio de alta potencia.

    Aplicaciones:

    • Circuitos del cargador de batería
    • Aplicaciones de energía solar
    • Aplicaciones que requieren un cambio rápido
    • Controladores / controladores de motores de CA
    • Controladores / controladores de motores de CC
    • Fuente de poder ininterrumpida

    Reemplazo y equivalente:
    YTA840, IRF841, IRF842, IRF843, IRFI840G, IRFS840, IRFS841, STP8NA50, 2SK554, 2SK1158, 2SK1566, 2SK1567, 2SK1805, 2SK2116, 2SK2117, 2SK2175, 2SK2118.

     

    La entrada Transistor MOSFET IRF840N 500V 8A se publicó primero en Digizone.

    ]]>         Transistor MOSFET IRF740N 400V 10A https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-irf740n-400v-10a/ Fri, 02 Jul 2021 14:47:46 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=6841
  • Tipo de paquete: TO-220
  • Tipo de transistor: canal N
  • Voltaje máximo aplicado desde el drenaje a la fuente: 400 V
  • El voltaje máximo de la puerta a la fuente debe ser: ± 20 V
  • La corriente máxima de drenaje continua es: 10A
  • La corriente de drenaje pulsada máxima es: 40A
  • La disipación de energía máxima es: 125W
  • Voltaje mínimo requerido para conducir: 2V a 4V
  • La temperatura máxima de almacenamiento y funcionamiento debe ser: -55 a +150 centígrados

    • DATASHEET

    La entrada Transistor MOSFET IRF740N 400V 10A se publicó primero en Digizone.

    ]]>     El IRF740 es un MOSFET de canal N de alto voltaje, el transistor está diseñado básicamente para aplicaciones de conmutación de alto voltaje y alta velocidad. El voltaje de carga máximo que este transistor puede manejar es de hasta 400 V con una corriente de carga máxima de 10 A. La corriente máxima en el modo de pulso es de 40 A y la resistencia activada o (RDS) es de 0,55 ohmios.

    El voltaje máximo de drenaje a fuente de 400 V lo hace ideal para impulsar una variedad de cargas de alto voltaje en circuitos electrónicos.

    El IRF740 también puede funcionar como amplificador y se puede utilizar en muchos tipos de circuitos amplificadores de audio.

    El IRF740 se puede utilizar en circuitos en los que desee impulsar una carga de voltaje de hasta 400 V con una corriente de carga de 10 A. Además, la capacidad de conmutación de alta velocidad lo hace adecuado en aplicaciones donde el usuario requiere cambiar de una fuente a otra en nanosegundos.

    La capacidad de carga de 400 V lo hace adecuado para su uso en una variedad de aplicaciones de alto voltaje, como fuentes de alimentación ininterrumpidas, LED y otros balastos de luz, etc.

    Además, este transistor también se puede utilizar en etapas de circuito de amplificador de audio y también como un amplificador de audio independiente.

    Aplicaciones

    • Aplicaciones que requieren un cambio rápido
    • Aplicaciones de alto voltaje
    • Aplicaciones de controladores y controladores de motores de CA
    • Aplicaciones de controladores y controladores de motores de CC
    • UPS
    • Circuitos de carga de batería
    • Circuitos de iluminación y balasto

    Reemplazo y equivalente
    2SK1400A, BUK457-400B, BUZ61A, IRF740S, MTP10N40E, RFP7N35, RFP7NA40

    La entrada Transistor MOSFET IRF740N 400V 10A se publicó primero en Digizone.

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