transistor archivos | Digizone https://digizone.com.ve/?product_tag=transistor Componentes electronicos Fri, 09 May 2025 03:53:13 +0000 es hourly 1 https://digizone.com.ve/wp-content/uploads/2021/03/WhatsApp_Image_2020-05-21_at_9-removebg-preview-64x64.png transistor archivos | Digizone https://digizone.com.ve/?product_tag=transistor 32 32 Transistor MOSFET CANAL N 2SK3568 https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-canal-n-2sk3568/ Tue, 26 Apr 2022 14:21:57 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=9577
  • Categoría de producto: MOSFET
  • Estilo de montaje: Agujero pasante
  • Empaquetado / Estuche: TO-220FP-3
  • Polaridad de transistor: N-Channel
  • Número de canales: 1 Canal
  • Vds (Tensión separación drenador-fuente): 500 V
  • Id: corriente de drenaje continuo: 12 A
  • Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 520 mOhms

    • DATASHEET

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    ]]>         Transistores Darlington TIP142 NPN https://digizone.com.ve/producto/transistores-darlington-tip142-npn/ Tue, 26 Apr 2022 12:44:32 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=9563
  • Categoría de producto: Transistores Darlington
  • Polaridad de transistor: NPN
  • Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 100 V
  • Voltaje emisor-base VEBO: 5 V
  • Voltaje colector-base VCBO: 100 V
  • Corriente del colector DC máxima: 15 A
  • Corriente de corte del colector máxima: 1000 uA
  • Estilo de montaje: Through Hole
  • Empaquetado / Estuche: TO-220-3
  • Temperatura operativa máxima: + 150 C
  • Colector CC/Ganancia base hfe Min: 500

    • DATASHEET

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    ]]>     TIP142 es un transistor darlington NPN fabricado en paquete TO-218 o SOT-93. Sin embargo, el transistor también se fabrica en otros paquetes diferentes que son TO-3P y TO-247. Como se mencionó anteriormente, es un transistor darlington, lo que significa que contiene dos transistores en un solo paquete que están conectados de una manera especial para aumentar la ganancia del transistor muchas veces.

    El TIP142 es el transistor de la serie TIP14x, otros transistores NPN de esta serie son TIP140 y TIP141. Hay una pequeña diferencia de voltaje y corriente entre estos tres, como el voltaje de mantenimiento del colector-emisor, la corriente de corte del colector, el voltaje del colector-emisor, etc., pero si está manejando una carga por debajo de 60 V, entonces puede usar cualquiera de ellos. Pero si está manejando una carga de 80 V, puede usar TIP141 y TIP142 y si la carga es de 100 V, solo puede usar TIP142 de los tres. Además, los transistores PNP de esta serie son TIP145, TIP146 y TIP147, estos son los tipos complementarios PNP de TIP140, TIP141 y TIP142.

    El TIP142 y todos los transistores de esta serie, ya sean NPN o PNP, están diseñados para usarse en aplicaciones de uso general, como amplificación y conmutación. Cuando se usa como interruptor, la carga máxima que este transistor puede manejar es de hasta 10 A y el voltaje de carga máximo puede ser de hasta 100 V. La ganancia máxima de corriente CC es de hasta 1000.

    Dónde podemos usarlo y cómo usarlo:
    Como se mencionó, este transistor se puede utilizar en una amplia variedad de aplicaciones de conmutación y amplificación. Se puede utilizar para construir un amplificador de audio de alta potencia o en las etapas de conducción del amplificador de audio. También se puede utilizar como interruptor y es capaz de impulsar una carga de hasta 10A. Con una capacidad de conducción de carga de 10 A, puede impulsar una amplia variedad de cargas, como motores, relés, transistores de alta potencia, etc.

    Complementario PNP:
    PNP complementario de TIP142 es TIP147

    Reemplazo y equivalente:
    BDV65B, BDV65C

    Aplicaciones:

    • Amplificadores de audio
    • Controladores de motores
    • Carga de accionamiento de hasta 10A
    • Y muchas otras aplicaciones de propósito general

    Directrices de funcionamiento seguro/Clasificaciones máximas absolutas:
    Antes de usar este transistor, es importante echar un vistazo a sus clasificaciones máximas absolutas y mantenerse un 20% por debajo de estas clasificaciones para un funcionamiento seguro y un rendimiento a largo plazo. La corriente de colector máxima del transistor es de 10 A, por lo tanto, no maneje una carga de más de 8 A. El voltaje de carga máximo es de 100 V, por lo tanto, no maneje una carga de más de 80 V. Utilice un disipador de calor adecuado con el transistor y almacene u opere siempre este transistor a una temperatura superior a -65 °C e inferior a +150 °C.

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    ]]>         Transistor MOSFET CANAL N FDB2532 SMD TO-263 https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-canal-n-fdb2532-smd-to-263/ Fri, 22 Apr 2022 12:35:06 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=9536
  • Categoría de producto: MOSFET
  • Estilo de montaje: SMD/SMT
  • Polaridad del transistor: canal N
  • Número de canales: 1 canal
  • Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente: 150 V
  • Id - Corriente de drenaje continuo: 79 A
  • Rds On - Resistencia drenaje-fuente: 14 mOhms
  • Vgs - Voltaje de fuente de puerta: - 20 V, + 20 V
  • Vgs th - Voltaje de umbral de puerta-fuente: 2 V
  • Qg - Carga de puerta: 107 nC
  • Temperatura mínima de funcionamiento: - 55 C
  • Temperatura máxima de funcionamiento: + 175 C
  • Pd - Disipación de potencia: 310 W
  • Tiempo de caída: 17 ns
  • Tiempo de subida: 30 ns
  • Tiempo de retardo de apagado típico: 39 ns
  • Tiempo de retardo de encendido típico: 16 ns

    • DATASHEET

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    ]]>     La entrada Transistor MOSFET CANAL N FDB2532 SMD TO-263 se publicó primero en Digizone.

    ]]>         Transistor MOSFET IRF540N 100V 23A SMD TO-263 https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-irf540n-100v-23a-smd-to-263/ Tue, 15 Mar 2022 21:03:26 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=9237
  • Tipo de paquete: TO-263
  • Tipo de transistor: canal N
  • Voltaje máximo aplicado desde el drenaje a la fuente: 100 V
  • El voltaje máximo de la puerta a la fuente debe ser: ± 20 V
  • La corriente de drenaje continua máxima es: 9.2A
  • La corriente de drenaje pulsada máxima es: 37A
  • La disipación de energía máxima es: 60W
  • Voltaje mínimo requerido para conducir: 2V a 4V
  • La temperatura máxima de almacenamiento y funcionamiento debe ser: -55 a +175 Celsius

    • DATASHEET

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    ]]>     El IRF540 es un MOSFET de potencia diseñado para impulsar cargas de alta corriente. Puede manejar una carga máxima de hasta 23 A y el voltaje de carga máximo es de hasta 100 V CC. Utiliza tecnología de trinchera que lo hace capaz de alcanzar un alto nivel de capacidad de conducción. Se puede utilizar tanto para conmutación como para amplificación. Este transistor posee algunas de las buenas características que lo hacen ideal para usar como interruptor. Es capaz de realizar conmutación de alta velocidad, por lo que se puede utilizar en una amplia variedad de aplicaciones en las que desee conmutar la carga con alta velocidad, como UPS.

    Aparte de eso, también se puede usar como amplificador, la disipación de potencia máxima de 100 W lo hace ideal para construir un amplificador de audio de alta potencia y también se puede usar en etapas de amplificador de audio de alta potencia.

    El IRF540 se puede utilizar para ambos propósitos, es decir, conmutación y amplificación. Como interruptor, se puede usar en muchas aplicaciones, como fuentes de alimentación, aplicaciones de administración de baterías, convertidores de CC a CC, etc.También se puede usar en la salida de microcontroladores y plataformas electrónicas como arduino, raspberry pi, etc. para impulsar cargas de alto amperaje. . Por otro lado, se puede utilizar para construir amplificadores de audio de alta potencia.

    El cableado o el uso de los MOSFET son casi los mismos que los de los BJT, mientras que la principal diferencia entre los dos es que los MOSFET son los dispositivos controlados por voltaje y los BJT son dispositivos controlados por corriente, por lo que el transistor MOSFET no requiere corriente en su puerta con la que puede controlarlos. Voltaje. El transistor IRF540 de voltaje mínimo requerido para la saturación es de 2V a 4V.

    Aplicaciones:

    • Aplicaciones de cambio rápido
    • Fuente de poder ininterrumpida
    • Cargadores de bateria
    • Sistemas de gestión de baterías
    • Cargadores de baterías solares
    • Fuentes de alimentación solar ininterrumpida
    • Aplicaciones de controladores de motor
    • Aplicaciones de telecomunicaciones
    • Aplicaciones relacionadas con la computadora

    Reemplazo y equivalente del IRF540:
    2SK1928, BUZ21, 2SK2314, 2SK2466, 2SK2391, 2SK2466, BUK445-100A, BUK455-100A, BUK551-100A, BUK555-100A, IRFI540G, IRFS540, MTP27N10E, RFP22N10, 2SK2789

    La entrada Transistor MOSFET IRF540N 100V 23A SMD TO-263 se publicó primero en Digizone.

    ]]>         Transistor BJT 600mA 40V PNP 2N4403 https://digizone.com.ve/producto/transistor-bjt-600ma-40v-pnp-2n4403/ Fri, 27 Aug 2021 19:28:59 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=7841
  • Categoría de producto: Transistores bipolares - BJT
  • Estilo de montaje: Through Hole
  • Empaquetado / Estuche: TO-92-3
  • Polaridad de transistor: PNP
  • Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 40 V
  • Voltaje colector-base VCBO: 40 V
  • Voltaje emisor-base VEBO: 5 V
  • Voltaje de saturación colector-emisor: 0.75 V
  • Corriente del colector DC máxima: 0.6 A
  • Pd (disipación de potencia): 625 mW
  • Producto fT para ganancia de ancho de banda: 200 MHz
  • Temperatura operativa mínima: - 55 C
  • Temperatura operativa máxima: + 150 C
  • Ganancia de corriente DC hFE Máx.: 300
  • Corriente continua del colector: 0.6 A

    • 2N4403_D-2309252

    La entrada Transistor BJT 600mA 40V PNP 2N4403 se publicó primero en Digizone.

    ]]>     2N4403 se utiliza básicamente cuando desea un dispositivo de conmutación simple para cargas de baja potencia. El componente es económico y fácil de usar, por lo que es más adecuado al elegir un dispositivo de conmutación aleatorio. 2N4403 también se puede utilizar como amplificador de potencia básico y su aplicación incluye amplificar señales de baja potencia.

    Transistores similares
    NTE159, 2SA1015GR, 2N5401, 2N3905

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    ]]>         Transistores BJT 2n3055 NPN https://digizone.com.ve/producto/transistores-bjt-2n3005-npn/ Sat, 03 Jul 2021 20:16:30 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=6932
  • Categoría de producto: Transistores bipolares - BJT
  • Estilo de montaje: Through Hole
  • Empaquetado / Estuche: TO-3
  • Polaridad de transistor: NPN
  • Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 60 V
  • Voltaje colector-base VCBO: 100 V
  • Voltaje emisor-base VEBO: 7 V
  • Voltaje de saturación colector-emisor: 1 V
  • Corriente del colector DC máxima: 15 A
  • Pd (disipación de potencia): 115 W
  • Producto fT para ganancia de ancho de banda: 3 MHz
  • Temperatura operativa mínima: - 65 C
  • Temperatura operativa máxima: + 200 C
  • Ganancia de corriente DC hFE Máx.: 70
  • Corriente continua del colector: 15 A
  • Colector CC/Ganancia base hfe Min: 20

    • DATASHEET

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    ]]>     El 2N3055 es un transistor plano de base epitaxial NPN que normalmente viene encapsulado en un paquete de metal Jedec TO-3. El rango de aplicación básico incluye conmutación de potencia, amplificación de alta fidelidad, regulación de derivación y formación de las etapas de salida de varios circuitos de potencia.

    El dispositivo se ha vuelto particularmente popular debido a algunas de sus características sobresalientes, que se resumen a continuación:

    • El diseño y el embalaje resistentes lo hacen menos vulnerable a las tensiones mecánicas durante la adquisición y el transporte.
    • La alta capacidad de manejo de voltaje de colector a emisor lo hace altamente versátil para la mayoría de las aplicaciones de amplificación de potencia.
    • Bajo voltaje de base a emisor, lo hace fácilmente conmutable incluso con potenciales de salida nominales disponibles de circuitos integrados lineales sin incorporar etapas de búfer.
    • La robusta capacidad de suministro de corriente de salida lo hace ideal para aplicaciones en amplificadores de potencia e inversores de potencia.
    • La robusta encapsulación de la carcasa del TO-3 lo hace fácilmente montable sobre disipadores de calor con un cómodo contacto cara a cara, lo que permite una perfecta disipación del calor del dispositivo y garantiza una respuesta óptima.
    • La ganancia de hFE razonable y constante lo hace universalmente adecuado y aplicable para la mayoría de los propósitos.
    • Rango de manejo de alta frecuencia, nuevamente atribuyendo al dispositivo una característica de utilidad de rango amplio.
    • La versatilidad anterior del dispositivo a su vez lo hace fácilmente reemplazable con otros transistores de potencia que tienen características variadas, aliviando a los usuarios del dolor de cabeza de buscar coincidencias idénticas compatibles para sus aplicaciones específicas individuales.

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    ]]>         Transistor MOSFET IRF840N 500V 8A https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-irf840n-500v-8a/ Fri, 02 Jul 2021 17:46:13 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=6863
  • Tipo de paquete: TO-220
  • Tipo de transistor: canal N
  • Voltaje máximo aplicado desde el drenaje a la fuente: 500 V
  • El voltaje máximo de la puerta a la fuente debe ser: ± 20 V
  • La corriente de drenaje continua máxima es: 8A
  • La corriente máxima de drenaje pulsada es: 32A
  • La disipación de energía máxima es: 125W
  • Voltaje mínimo requerido para conducir: 2V a 4V
  • La temperatura máxima de almacenamiento y funcionamiento debe ser: -55 a +150 centígradosDATASHEET

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    ]]>     El IRF840 es un MOSFET de canal N disponible en el paquete TO-220. Está diseñado para aplicaciones de alto voltaje de hasta 500 V con capacidades de conmutación de alta velocidad. Se puede utilizar tanto para conmutación como para amplificación. Como interruptor, puede impulsar una carga de hasta 8 A y una carga de hasta 30 A en modo de pulso. El dispositivo se puede utilizar en muchas aplicaciones de alto voltaje, como fuentes de alimentación, controladores de motor, UPS, etc. Además, el IRF840 también se puede conectar y controlar directamente con la salida de circuitos integrados.

    La disipación de potencia máxima es de 125 vatios, por lo que también se puede utilizar en circuitos de amplificación de audio.

    El IRF640 se puede utilizar en circuitos en los que desee impulsar una carga de alto voltaje de hasta 500 V con una corriente de carga de hasta 8 A. También se puede utilizar en circuitos donde la conmutación de alta velocidad es crucial. Además, puede usarlo directamente en la salida de circuitos integrados, microcontroladores y otras plataformas electrónicas como Arduino y Raspberry Pi para impulsar cargas.

    Aparte de eso, también se puede utilizar para construir amplificadores de audio de alta potencia.

    Aplicaciones:

    • Circuitos del cargador de batería
    • Aplicaciones de energía solar
    • Aplicaciones que requieren un cambio rápido
    • Controladores / controladores de motores de CA
    • Controladores / controladores de motores de CC
    • Fuente de poder ininterrumpida

    Reemplazo y equivalente:
    YTA840, IRF841, IRF842, IRF843, IRFI840G, IRFS840, IRFS841, STP8NA50, 2SK554, 2SK1158, 2SK1566, 2SK1567, 2SK1805, 2SK2116, 2SK2117, 2SK2175, 2SK2118.

     

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    ]]>         Transistor MOSFET IRF740N 400V 10A https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-irf740n-400v-10a/ Fri, 02 Jul 2021 14:47:46 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=6841
  • Tipo de paquete: TO-220
  • Tipo de transistor: canal N
  • Voltaje máximo aplicado desde el drenaje a la fuente: 400 V
  • El voltaje máximo de la puerta a la fuente debe ser: ± 20 V
  • La corriente máxima de drenaje continua es: 10A
  • La corriente de drenaje pulsada máxima es: 40A
  • La disipación de energía máxima es: 125W
  • Voltaje mínimo requerido para conducir: 2V a 4V
  • La temperatura máxima de almacenamiento y funcionamiento debe ser: -55 a +150 centígrados

    • DATASHEET

    La entrada Transistor MOSFET IRF740N 400V 10A se publicó primero en Digizone.

    ]]>     El IRF740 es un MOSFET de canal N de alto voltaje, el transistor está diseñado básicamente para aplicaciones de conmutación de alto voltaje y alta velocidad. El voltaje de carga máximo que este transistor puede manejar es de hasta 400 V con una corriente de carga máxima de 10 A. La corriente máxima en el modo de pulso es de 40 A y la resistencia activada o (RDS) es de 0,55 ohmios.

    El voltaje máximo de drenaje a fuente de 400 V lo hace ideal para impulsar una variedad de cargas de alto voltaje en circuitos electrónicos.

    El IRF740 también puede funcionar como amplificador y se puede utilizar en muchos tipos de circuitos amplificadores de audio.

    El IRF740 se puede utilizar en circuitos en los que desee impulsar una carga de voltaje de hasta 400 V con una corriente de carga de 10 A. Además, la capacidad de conmutación de alta velocidad lo hace adecuado en aplicaciones donde el usuario requiere cambiar de una fuente a otra en nanosegundos.

    La capacidad de carga de 400 V lo hace adecuado para su uso en una variedad de aplicaciones de alto voltaje, como fuentes de alimentación ininterrumpidas, LED y otros balastos de luz, etc.

    Además, este transistor también se puede utilizar en etapas de circuito de amplificador de audio y también como un amplificador de audio independiente.

    Aplicaciones

    • Aplicaciones que requieren un cambio rápido
    • Aplicaciones de alto voltaje
    • Aplicaciones de controladores y controladores de motores de CA
    • Aplicaciones de controladores y controladores de motores de CC
    • UPS
    • Circuitos de carga de batería
    • Circuitos de iluminación y balasto

    Reemplazo y equivalente
    2SK1400A, BUK457-400B, BUZ61A, IRF740S, MTP10N40E, RFP7N35, RFP7NA40

    La entrada Transistor MOSFET IRF740N 400V 10A se publicó primero en Digizone.

    ]]>         Transistor MOSFET IRF540N 100V 23A https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-irf540n-100v-23a/ Thu, 01 Jul 2021 15:53:49 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=6826
  • Tipo de paquete: TO-220
  • Tipo de transistor: canal N
  • Voltaje máximo aplicado desde el drenaje a la fuente: 100 V
  • El voltaje máximo de la puerta a la fuente debe ser: ± 20 V
  • La corriente de drenaje continua máxima es: 9.2A
  • La corriente de drenaje pulsada máxima es: 37A
  • La disipación de energía máxima es: 60W
  • Voltaje mínimo requerido para conducir: 2V a 4V
  • La temperatura máxima de almacenamiento y funcionamiento debe ser: -55 a +175 Celsius

    • DATASHEET

    La entrada Transistor MOSFET IRF540N 100V 23A se publicó primero en Digizone.

    ]]>     El IRF540 es un MOSFET de potencia diseñado para impulsar cargas de alta corriente. Puede manejar una carga máxima de hasta 23 A y el voltaje de carga máximo es de hasta 100 V CC. Utiliza tecnología de trinchera que lo hace capaz de alcanzar un alto nivel de capacidad de conducción. Se puede utilizar tanto para conmutación como para amplificación. Este transistor posee algunas de las buenas características que lo hacen ideal para usar como interruptor. Es capaz de realizar conmutación de alta velocidad, por lo que se puede utilizar en una amplia variedad de aplicaciones en las que desee conmutar la carga con alta velocidad, como UPS.

    Aparte de eso, también se puede usar como amplificador, la disipación de potencia máxima de 100 W lo hace ideal para construir un amplificador de audio de alta potencia y también se puede usar en etapas de amplificador de audio de alta potencia.

    El IRF540 se puede utilizar para ambos propósitos, es decir, conmutación y amplificación. Como interruptor, se puede usar en muchas aplicaciones, como fuentes de alimentación, aplicaciones de administración de baterías, convertidores de CC a CC, etc.También se puede usar en la salida de microcontroladores y plataformas electrónicas como arduino, raspberry pi, etc. para impulsar cargas de alto amperaje. . Por otro lado, se puede utilizar para construir amplificadores de audio de alta potencia.

    El cableado o el uso de los MOSFET son casi los mismos que los de los BJT, mientras que la principal diferencia entre los dos es que los MOSFET son los dispositivos controlados por voltaje y los BJT son dispositivos controlados por corriente, por lo que el transistor MOSFET no requiere corriente en su puerta con la que puede controlarlos. Voltaje. El transistor IRF540 de voltaje mínimo requerido para la saturación es de 2V a 4V.

    Aplicaciones:

    • Aplicaciones de cambio rápido
    • Fuente de poder ininterrumpida
    • Cargadores de bateria
    • Sistemas de gestión de baterías
    • Cargadores de baterías solares
    • Fuentes de alimentación solar ininterrumpida
    • Aplicaciones de controladores de motor
    • Aplicaciones de telecomunicaciones
    • Aplicaciones relacionadas con la computadora

    Reemplazo y equivalente del IRF540:
    2SK1928, BUZ21, 2SK2314, 2SK2466, 2SK2391, 2SK2466, BUK445-100A, BUK455-100A, BUK551-100A, BUK555-100A, IRFI540G, IRFS540, MTP27N10E, RFP22N10, 2SK2789

    La entrada Transistor MOSFET IRF540N 100V 23A se publicó primero en Digizone.

    ]]>         Transistor MOSFET IRF530 100V 14A https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-irf530-100v-14a/ Thu, 01 Jul 2021 15:38:54 +0000 https://digizone.com.ve/?post_type=product&p=6820
  • Tipo de paquete: TO-220AB y otros paquetes
  • Tipo de transistor: canal N
  • Voltaje máximo aplicado desde el drenaje a la fuente: 100 V
  • El voltaje máximo de la puerta a la fuente debe ser: ± 20 V
  • La corriente de drenaje continua máxima es: 14A
  • La corriente de drenaje pulsada máxima es: 56A
  • La disipación de energía máxima es: 79W
  • Voltaje mínimo requerido para conducir: 2V a 4V
  • La temperatura máxima de almacenamiento y funcionamiento debe ser: -55 a +150 centígrados

    • DATASHEET

     

     

    La entrada Transistor MOSFET IRF530 100V 14A se publicó primero en Digizone.

    ]]>     El IRF530 es un MOSFET de canal N capaz de impulsar una carga continua de 14A con un voltaje de carga de 100V. También hay otros transistores disponibles en esta serie que son IRF531, IRF532 e IRF533. Todos estos transistores son ligeramente diferentes entre sí, pero pueden usarse en lugar de cada uno si su carga está por debajo de los valores de especificaciones de estos transistores.

    El IRF530 está diseñado para aplicaciones de alta velocidad y alta potencia, la aplicación de alta velocidad puede estar en un dispositivo electrónico o circuito de electrodomésticos en el que el diseñador de circuitos requiere una conmutación muy rápida en nano segundos, las aplicaciones pueden ser circuitos UPS, circuitos de carga de batería, etc. .

    También tiene una capacidad de accionamiento de puerta baja debido a que el usuario puede operarla directamente desde la salida de los circuitos integrados o microcontroladores. También puede impulsar una carga de hasta 56 A en modo de pulso.

    Aparte de eso, el IRF530 también se puede usar como un amplificador de audio separado o también se puede usar en amplificadores de audio de mayor potencia.

    El IRF530 se puede utilizar en cualquier tipo de aplicaciones de conmutación de alta velocidad y de propósito general que se ajusten a sus especificaciones. Aparte de eso, también se puede utilizar para crear aplicaciones de amplificador de audio de alta potencia. El procedimiento de uso / operación de este MOSFET es el mismo que usa con otros MOSFET.

    Aplicaciones

    • Fuentes de alimentación ininterrumpidas
    • Cargadores de batería y circuitos BMS
    • Aplicaciones de suministro de energía solar
    • Controladores de motor

    Reemplazo y equivalente
    BUZ20, IRFI530G, IRFS530, MTP12N10E, RFP12N10, STP13N10, STP18N10, BUK453-100B, BUK453-100A, BUZ72, IRF641, IRF642, IRFB4620, IRFB5620.

    La entrada Transistor MOSFET IRF530 100V 14A se publicó primero en Digizone.

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