<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><rss version="2.0"
	xmlns:content="http://purl.org/rss/1.0/modules/content/"
	xmlns:wfw="http://wellformedweb.org/CommentAPI/"
	xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/"
	xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom"
	xmlns:sy="http://purl.org/rss/1.0/modules/syndication/"
	xmlns:slash="http://purl.org/rss/1.0/modules/slash/"
	>

<channel>
	<title>Transitor archivos | Digizone</title>
	<atom:link href="https://digizone.com.ve/etiqueta-producto/transitor/feed/" rel="self" type="application/rss+xml" />
	<link>https://digizone.com.ve/?product_tag=transitor</link>
	<description>Componentes electronicos</description>
	<lastBuildDate>Mon, 04 Dec 2023 15:36:07 +0000</lastBuildDate>
	<language>es</language>
	<sy:updatePeriod>
	hourly	</sy:updatePeriod>
	<sy:updateFrequency>
	1	</sy:updateFrequency>
	

<image>
	<url>https://digizone.com.ve/wp-content/uploads/2021/03/WhatsApp_Image_2020-05-21_at_9-removebg-preview-64x64.png</url>
	<title>Transitor archivos | Digizone</title>
	<link>https://digizone.com.ve/?product_tag=transitor</link>
	<width>32</width>
	<height>32</height>
</image> 
	<item>
		<title>Transistor MOSFET IRF1310NPBF 100V 42A</title>
		<link>https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-irf1310npbf-100v-42a/</link>
		
		<dc:creator><![CDATA[Marwin Goyo]]></dc:creator>
		<pubDate>Mon, 28 Feb 2022 02:54:17 +0000</pubDate>
				<guid isPermaLink="false">https://digizone.com.ve/?post_type=product&#038;p=9113</guid>

					<description><![CDATA[<ul>
<li><strong>Polaridad del transistor:</strong> Canal N</li>
<li><strong>Voltaje de drenaje a fuente VDS:</strong> 100 V</li>
<li><strong>Voltaje de drenaje a puerta VDGR:</strong> 50 V</li>
<li><strong>Voltaje de puerta a fuente VGS:</strong> ±50 V</li>
<li><strong>Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C):</strong> 42 A</li>
<li><strong>Corriente de drenaje pulsada IDP:</strong> 140 A</li>
<li><strong>Corriente de avalancha IAR:</strong> 22 A</li>
<li><strong>Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C):</strong> 160 W</li>
<li><strong>Resistencia VGS RDS(on) máximo:</strong> 0.036 Ohms</li>
<li><strong>Temperatura de operación mínima:</strong> -55 °C</li>
<li><strong>Temperatura de operación máxima:</strong> 175 °C</li>
<li><strong>Encapsulado:</strong> TO-220</li>
<li><strong>Número de pines:</strong> 3</li>
</ul>
<p><span style="color: #ff0000;"><strong><a style="color: #ff0000;" href="https://digizone.com.ve/wp-content/uploads/2022/02/1310.pdf">DATASHEET</a></strong></span></p>
<p>La entrada <a href="https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-irf1310npbf-100v-42a/">Transistor MOSFET IRF1310NPBF 100V 42A</a> se publicó primero en <a href="https://digizone.com.ve">Digizone</a>.</p>
]]></description>
										<content:encoded><![CDATA[<p>Transistor mosfet hexfet IRF1310NPBF Tipo T de<span class="" lang="es"> un solo canal N 100V. Power MOSFET con muy <span class="">baja resistencia</span> por unidad de superficie de silicio y el rendimiento de conmutación rápida usando tecnología planar avanzada.</span></p>
<p>La entrada <a href="https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-irf1310npbf-100v-42a/">Transistor MOSFET IRF1310NPBF 100V 42A</a> se publicó primero en <a href="https://digizone.com.ve">Digizone</a>.</p>
]]></content:encoded>
					
		
		
			</item>
		<item>
		<title>Transistor MOSFET IRF3205PBF 55V 98A</title>
		<link>https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-irf3205pbf-55v-98a/</link>
		
		<dc:creator><![CDATA[Marwin Goyo]]></dc:creator>
		<pubDate>Mon, 28 Feb 2022 02:41:31 +0000</pubDate>
				<guid isPermaLink="false">https://digizone.com.ve/?post_type=product&#038;p=9105</guid>

					<description><![CDATA[<ul>
<li><strong>Canal</strong> N</li>
<li><strong>La corriente de drenaje continua (ID)</strong> es de 110 A cuando VGS es de 10 V</li>
<li><strong>Tensión mínima de umbral de Gate</strong> 2V</li>
<li><strong>Voltaje de ruptura de drenaje a fuente:</strong> 55V</li>
<li><strong>Baja resistencia de encendido de </strong>8,0 mΩ</li>
<li><strong>El voltaje de la fuente de la puerta es (VGS)</strong> es de ± 20 V</li>
<li><strong>El tiempo de subida es</strong> 101ns</li>
</ul>
<p><span style="color: #ff0000"><strong><a style="color: #ff0000" href="https://digizone.com.ve/wp-content/uploads/2022/02/IRF3205_datasheet.pdf">DATASHEET</a></strong></span></p>
<p>La entrada <a href="https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-irf3205pbf-55v-98a/">Transistor MOSFET IRF3205PBF 55V 98A</a> se publicó primero en <a href="https://digizone.com.ve">Digizone</a>.</p>
]]></description>
										<content:encoded><![CDATA[<p>El IRF3205 es un MOSFET de canal N de alta corriente que puede cambiar corrientes de hasta 110A y 55V. La especialidad del MOSFET es que tiene una resistencia muy baja de solo 8,0 mΩ, lo que lo hace adecuado para circuitos de conmutación como inversores, control de velocidad del motor, convertidor CC-CC, etc. También es uno de los MOSFET económicos y fácilmente disponibles con un bajo en resistencia.</p>
<p>Entonces, si está buscando un MOSFET para usar en su circuito de conmutación que funcione por debajo de 55 V y menos de 110 A, puede considerar usar el IRF3205. Tenga en cuenta que el IRF3205 tiene un voltaje de umbral alto y, por lo tanto, no es ideal para el control de encendido/apagado con controladores integrados. Puede probar el IRF540N para ese propósito.</p>
<p><strong>Alternativas para IRF3205</strong><br />
IRF1405, IRF1407, IRF3305, IRFZ44N, IRFB3077, IRFB4110</p>
<p><strong>Aplicaciones</strong></p>
<ul>
<li>Cambio de aplicaciones</li>
<li>Convertidores elevadores</li>
<li>helicópteros</li>
<li>Inversores solares</li>
<li>Control de velocidad</li>
</ul>
<p>La entrada <a href="https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-irf3205pbf-55v-98a/">Transistor MOSFET IRF3205PBF 55V 98A</a> se publicó primero en <a href="https://digizone.com.ve">Digizone</a>.</p>
]]></content:encoded>
					
		
		
			</item>
		<item>
		<title>Transistor MOSFET FQP50N06 60V 50A</title>
		<link>https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-60v-50a-fqp52n06/</link>
		
		<dc:creator><![CDATA[Marwin Goyo]]></dc:creator>
		<pubDate>Mon, 05 Jul 2021 23:27:14 +0000</pubDate>
				<guid isPermaLink="false">https://digizone.com.ve/?post_type=product&#038;p=6994</guid>

					<description><![CDATA[<ul>
<li><strong>Categoría de producto:</strong> MOSFET</li>
<li><strong>Estilo de montaje:</strong> Through Hole</li>
<li><strong>Empaquetado / Estuche:</strong> TO-220-3</li>
<li><strong>Polaridad de transistor:</strong> N-Channel</li>
<li><strong>Vds (Tensión separación drenador-fuente):</strong> 60 V</li>
<li><strong>Id: corriente de drenaje continuo:</strong> 50 A</li>
<li><strong>Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):</strong> 22 mOhms</li>
<li><strong>Vgs (tensión de compuerta-fuente):</strong> - 25 V, + 25 V</li>
<li><strong>Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):</strong> 4 V</li>
<li><strong>Qg (carga de compuertas):</strong> 31 nC</li>
<li><strong>Temperatura operativa mínima:</strong> - 55 C</li>
<li><strong>Temperatura operativa máxima:</strong> + 175 C</li>
<li><strong>Pd (disipación de potencia):</strong> 120 W</li>
<li><strong>Transconductancia delantera: mín.:</strong> 22 S</li>
<li><strong>Tiempo de caída:</strong> 65 ns</li>
<li><strong>Tiempo de establecimiento:</strong> 105 ns</li>
<li><strong>Tiempo típico de retraso de apagado:</strong> 60 ns</li>
<li><strong>Tiempo de retardo de conexión típico:</strong> 15 ns</li>
</ul>
<p><span style="color: #ff0000"><strong><a style="color: #ff0000" href="https://digizone.com.ve/wp-content/uploads/2021/07/FQP50N06_D-2313940.pdf">DATASHEET</a></strong></span></p>
<p>La entrada <a href="https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-60v-50a-fqp52n06/">Transistor MOSFET FQP50N06 60V 50A</a> se publicó primero en <a href="https://digizone.com.ve">Digizone</a>.</p>
]]></description>
										<content:encoded><![CDATA[<p>El FQP52N06es un MOSFET de potencia fabricado en un paquete de transistor TO-220. Es un transistor reforzado y se puede utilizar para usos generales en una variedad de aplicaciones. Además, el transistor posee una variedad de características que lo hacen confiable para muchas aplicaciones comerciales, algunas características son capacidad de conmutación rápida, supervivencia a alta temperatura de hasta 175 grados Celsius, muy baja resistencia al drenaje a la fuente en estado ON de solo 22 mΩ, protección ESD de un máximo de 2 kilo voltios, etc.</p>
<p>Además, la corriente de drenaje continua máxima del transistor es de 50 A, lo que significa que puede conducir una carga de hasta 50 A y el voltaje máximo aplicado desde el drenaje a la fuente es de 60 V, lo que significa que puede conducir una carga de hasta 60 V con este transistor. La disipación de potencia máxima del transistor es de 120 vatios y el límite máximo de temperatura de soldadura del dispositivo es de 300 grados centígrados durante 10 segundos.</p>
<p>La entrada <a href="https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-60v-50a-fqp52n06/">Transistor MOSFET FQP50N06 60V 50A</a> se publicó primero en <a href="https://digizone.com.ve">Digizone</a>.</p>
]]></content:encoded>
					
		
		
			</item>
		<item>
		<title>Transistor MOSFET FQPF20N60 600V 20A</title>
		<link>https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-600v-20a-fqpf20n60/</link>
		
		<dc:creator><![CDATA[Marwin Goyo]]></dc:creator>
		<pubDate>Mon, 05 Jul 2021 23:25:45 +0000</pubDate>
				<guid isPermaLink="false">https://digizone.com.ve/?post_type=product&#038;p=6989</guid>

					<description><![CDATA[<ul>
<li><strong>Categoría de producto:</strong> MOSFET</li>
<li><strong>Estilo de montaje:</strong> Through Hole</li>
<li><strong>Empaquetado / Estuche:</strong> TO-220FP-3</li>
<li><strong>Polaridad de transistor:</strong> N-Channel</li>
<li><strong>Vds (Tensión separación drenador-fuente):</strong> 600 V</li>
<li><strong>Id: corriente de drenaje continuo:</strong> 20.7 A</li>
<li><strong>Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):</strong> 190 mOhms</li>
<li><strong>Vgs (tensión de compuerta-fuente):</strong> - 20 V, + 20 V</li>
<li><strong>Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):</strong> 2.1 V</li>
<li><strong>Qg (carga de compuertas):</strong> 87 nC</li>
<li><strong>Temperatura operativa mínima:</strong> - 55 C</li>
<li><strong>Temperatura operativa máxima:</strong> + 150 C</li>
<li><strong>Pd (disipación de potencia):</strong> 34.5 W</li>
<li><strong>Tiempo de caída:</strong> 4.5 ns</li>
<li><strong>Tiempo de establecimiento:</strong> 5 ns</li>
<li><strong>Tiempo típico de retraso de apagado:</strong> 67 ns</li>
<li><strong>Tiempo de retardo de conexión típico:</strong> 10 ns</li>
</ul>
<p><span style="color: #ff0000"><strong><a style="color: #ff0000" href="https://digizone.com.ve/wp-content/uploads/2021/07/20N60.pdf">DATASHEET</a></strong></span></p>
<p>La entrada <a href="https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-600v-20a-fqpf20n60/">Transistor MOSFET FQPF20N60 600V 20A</a> se publicó primero en <a href="https://digizone.com.ve">Digizone</a>.</p>
]]></description>
										<content:encoded><![CDATA[<p>El Transistor 20N60 es un MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N que utiliza la tecnología avanzada de UTC para proporcionar a los clientes tecnología de banda plana y DMOS. Esta tecnología está especializada en permitir una resistencia mínima en estado encendido y un rendimiento de conmutación superior. También puede soportar pulsos de alta energía en el modo de avalancha y conmutación. El UTC 20N60 se aplica universalmente en control de motores, UPS, interruptores de CC y fuentes de alimentación de modo de conmutación y de modo resonante.</p>
<p>La entrada <a href="https://digizone.com.ve/producto/transistor-mosfet-600v-20a-fqpf20n60/">Transistor MOSFET FQPF20N60 600V 20A</a> se publicó primero en <a href="https://digizone.com.ve">Digizone</a>.</p>
]]></content:encoded>
					
		
		
			</item>
	</channel>
</rss>
