Transistor BJT 600mA 40V PNP 2N4403

• Categoría de producto: Transistores bipolares – BJT
• Estilo de montaje: Through Hole
• Empaquetado / Estuche: TO-92-3
• Polaridad de transistor: PNP
• Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 40 V
• Voltaje colector-base VCBO: 40 V
• Voltaje emisor-base VEBO: 5 V
• Voltaje de saturación colector-emisor: 0.75 V
• Corriente del colector DC máxima: 0.6 A
• Pd (disipación de potencia): 625 mW
• Producto fT para ganancia de ancho de banda: 200 MHz
• Temperatura operativa mínima: – 55 C
• Temperatura operativa máxima: + 150 C
• Ganancia de corriente DC hFE Máx.: 300
• Corriente continua del colector: 0.6 A

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