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Transistor MOSFET FQPF20N60 600V 20A

$1,30

  • Categoría de producto: MOSFET
  • Estilo de montaje: Through Hole
  • Empaquetado / Estuche: TO-220FP-3
  • Polaridad de transistor: N-Channel
  • Vds (Tensión separación drenador-fuente): 600 V
  • Id: corriente de drenaje continuo: 20.7 A
  • Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 190 mOhms
  • Vgs (tensión de compuerta-fuente): – 20 V, + 20 V
  • Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 2.1 V
  • Qg (carga de compuertas): 87 nC
  • Temperatura operativa mínima: – 55 C
  • Temperatura operativa máxima: + 150 C
  • Pd (disipación de potencia): 34.5 W
  • Tiempo de caída: 4.5 ns
  • Tiempo de establecimiento: 5 ns
  • Tiempo típico de retraso de apagado: 67 ns
  • Tiempo de retardo de conexión típico: 10 ns

DATASHEET

Disponibilidad: Hay existencias

Precio/Cantidad

Cant Discount (%) Precio
1 - 4 — $1,30
5 - 9 7.69 % $1,20
10 - 49 15.38 % $1,10
50+ 23.08 % $1,00
SKU: TMN-FQFP20N60 Categorías: , Etiquetas: , , , ,

El Transistor 20N60 es un MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N que utiliza la tecnología avanzada de UTC para proporcionar a los clientes tecnología de banda plana y DMOS. Esta tecnología está especializada en permitir una resistencia mínima en estado encendido y un rendimiento de conmutación superior. También puede soportar pulsos de alta energía en el modo de avalancha y conmutación. El UTC 20N60 se aplica universalmente en control de motores, UPS, interruptores de CC y fuentes de alimentación de modo de conmutación y de modo resonante.

Peso 2 g
Dimensiones 1,016 × 1,51 × 0,445 cm

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