Transistor MOSFET CANAL N FDB2532 SMD TO-263

• Categoría de producto: MOSFET
• Estilo de montaje: SMD/SMT
• Polaridad del transistor: canal N
• Número de canales: 1 canal
• Vds – Tensión disruptiva drenaje-fuente: 150 V
• Id – Corriente de drenaje continuo: 79 A
• Rds On – Resistencia drenaje-fuente: 14 mOhms
• Vgs – Voltaje de fuente de puerta: – 20 V, + 20 V
• Vgs th – Voltaje de umbral de puerta-fuente: 2 V
• Qg – Carga de puerta: 107 nC
• Temperatura mínima de funcionamiento: – 55 C
• Temperatura máxima de funcionamiento: + 175 C
• Pd – Disipación de potencia: 310 W
• Tiempo de caída: 17 ns
• Tiempo de subida: 30 ns
• Tiempo de retardo de apagado típico: 39 ns
• Tiempo de retardo de encendido típico: 16 ns

DATASHEET