Transistor mosfet hexfet IRF1310NPBF Tipo T de un solo canal N 100V. Power MOSFET con muy baja resistencia por unidad de superficie de silicio y el rendimiento de conmutación rápida usando tecnología planar avanzada.
Componentes Electronicos, Transistores
Transistor MOSFET IRF1310NPBF 100V 42A
$2,50
- Polaridad del transistor: Canal N
- Voltaje de drenaje a fuente VDS: 100 V
- Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 50 V
- Voltaje de puerta a fuente VGS: ±50 V
- Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 42 A
- Corriente de drenaje pulsada IDP: 140 A
- Corriente de avalancha IAR: 22 A
- Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 160 W
- Resistencia VGS RDS(on) máximo: 0.036 Ohms
- Temperatura de operación mínima: -55 °C
- Temperatura de operación máxima: 175 °C
- Encapsulado: TO-220
- Número de pines: 3
Disponibilidad: In stock
