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Transistor MOSFET IRF530 100V 14A

$0,85

  • Tipo de paquete: TO-220AB y otros paquetes
  • Tipo de transistor: canal N
  • Voltaje máximo aplicado desde el drenaje a la fuente: 100 V
  • El voltaje máximo de la puerta a la fuente debe ser: ± 20 V
  • La corriente de drenaje continua máxima es: 14A
  • La corriente de drenaje pulsada máxima es: 56A
  • La disipación de energía máxima es: 79W
  • Voltaje mínimo requerido para conducir: 2V a 4V
  • La temperatura máxima de almacenamiento y funcionamiento debe ser: -55 a +150 centígrados

DATASHEET

 

 

Disponibilidad: Hay existencias

Precio/Cantidad

Cant Discount (%) Precio
1 - 4 $0,85
5 - 9 11.76 % $0,75
10+ 17.65 % $0,70
SKU: TMN-IRF530N Categoría: Etiquetas: ,

El IRF530 es un MOSFET de canal N capaz de impulsar una carga continua de 14A con un voltaje de carga de 100V. También hay otros transistores disponibles en esta serie que son IRF531, IRF532 e IRF533. Todos estos transistores son ligeramente diferentes entre sí, pero pueden usarse en lugar de cada uno si su carga está por debajo de los valores de especificaciones de estos transistores.

El IRF530 está diseñado para aplicaciones de alta velocidad y alta potencia, la aplicación de alta velocidad puede estar en un dispositivo electrónico o circuito de electrodomésticos en el que el diseñador de circuitos requiere una conmutación muy rápida en nano segundos, las aplicaciones pueden ser circuitos UPS, circuitos de carga de batería, etc. .

También tiene una capacidad de accionamiento de puerta baja debido a que el usuario puede operarla directamente desde la salida de los circuitos integrados o microcontroladores. También puede impulsar una carga de hasta 56 A en modo de pulso.

Aparte de eso, el IRF530 también se puede usar como un amplificador de audio separado o también se puede usar en amplificadores de audio de mayor potencia.

El IRF530 se puede utilizar en cualquier tipo de aplicaciones de conmutación de alta velocidad y de propósito general que se ajusten a sus especificaciones. Aparte de eso, también se puede utilizar para crear aplicaciones de amplificador de audio de alta potencia. El procedimiento de uso / operación de este MOSFET es el mismo que usa con otros MOSFET.

Aplicaciones

  • Fuentes de alimentación ininterrumpidas
  • Cargadores de batería y circuitos BMS
  • Aplicaciones de suministro de energía solar
  • Controladores de motor

Reemplazo y equivalente
BUZ20, IRFI530G, IRFS530, MTP12N10E, RFP12N10, STP13N10, STP18N10, BUK453-100B, BUK453-100A, BUZ72, IRF641, IRF642, IRFB4620, IRFB5620.

Peso 1,95170 g
Dimensiones 1,016 × 1,51 × 0,445 cm
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